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第37章 存算一体芯片将在垂直细分领域迎来规模化商用（第2页）

密度来实现高内存带宽以及较低的访问开销。近存计算主要通过

2.5d、3d

堆叠来实现，广泛应用在各类

cpu

和

gpu

上；近期投资热度较高的是存内计算，通过传统的存储介质如dram、sram、nor

flash、nandflash

来实现。计算操作由位于存储芯片

区域内部的独立计算单元完成，更适用于算法固定的场景；技术尚处于探索期的是基于非易失性存储器技术做的新型存储原件，比如通过忆阻器

reram

电阻调制来实现数据存储。其他如相变存储器（pcm）、自旋磁存储器

（mram）

等，也作为存算一体新的技术路径。存算一体的计算方式分为数字计算和模拟计算。数字计算主要以sram

作为存储器件，具有高性能、高精度的优势，更适合大算力高能效场景。模拟计算通常使用

flash、reram

等非易失性介质作为存储器件，

存储密度大，并行度高，更适合算力，

计算精度要求不高的场景。

目前，存算一体已经在产业细分领域掀起了创业浪潮，并受到投资界和产业界的关注和投入。存算一体在技术上向着高精度、高算力和高能效的方向发展。在资本和产业双轮驱动下，基于

sram、nor

flash

等成熟存储器的存内计算将在垂直领域迎来规模化商用，算力、低功耗场景有望优先迎来产品和生态的升级迭代，大算力通用计算场景或将进入技术产品化初期。基于非易失性、新型存储元件的存算一体依赖于工艺、良率的提升，

走向成熟预计需要

5-10

年。

注:（免责申明）本文仅为个人笔记，内含个股仅仅是作为分析参考，不能作为投资决策的依据，不构成任何建议，据此入市风险自担。股市有风险，投资需谨慎！

知音难觅，也是人生常态，一曲众寡，尽管少有人懂，但是我自有我的风采

见者点赞，腰缠万贯！股运长虹，感谢诸君关注.点赞.评论.转发！

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