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第438章 光刻机项目 另辟蹊径（第1页）

沐阳研究更新后的阅读系统两个多小时才研究透，兴奋得睡不着。

喝了一杯茶，他想看看芯片制造技术的核心设备：光刻机。

目前市场上，有两种主流光刻机，一个是DUV光刻机，另一个是EUV光刻机。DUV是深紫外线（DeepUltravioletLithography），EUV是极深紫外线（ExtreUltravioletLithography）。

从制程范围来看，DUV基本上只能做到25nIntel凭借双工作台的模式做到了10n但是却无法达到10n下。

只有EUV能满足10n下的晶圆制造，并且还可以向5n3n续延伸。

这个线宽其实就是跟光的线宽有关系，比如可见光的G线，那就是436n如果用来刻蚀，线路肯定很宽。

可以简单地认为，光刻机的光系统其实就是一支画笔，不同的光代表不同粗细大小的笔芯，越细的笔（光）能够画越细越复杂的画。

DUV就是彩笔，EUV就是中性笔，中性笔画的线条比较细，比较好用。

这么理解，也好理解光刻机到底如何刻蚀电路图了。

当前，国外品牌光刻机主要以荷蓝ASML，岛国Nikon和Canon三大品牌为主。

EUV的价格是1—3亿美金／台，DUV的价格为2000万—5000万美金／台不等。

目前先进的光刻系统就是EUV光刻机，如果沐阳打算走EUV光刻机路线，必然绕不开别人的技术专利保护范围。

因此，他只能寻找另外光种的光刻机，同时要考虑到光的分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等指标。

就说分辨率，如果制作出来的电路图模糊不清，那芯片肯定不好。

光刻机其它的指标，也可以比喻成画笔的性能就行了。

并不是说，沐阳不能搞光刻机了，只是说，再搞DUV和EUV光刻机，绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。

所以，他只能另辟蹊径。

很久之前，沐阳就想到过电子束光刻机。

原本，再过几年，漂亮国的一个实验室研发出一套名为ZyvexLitho1的光刻系统，基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL（E-Beaithography）电子束光刻方式，制造出了0.7n宽的芯片，只是没法实现批量生产，或者成本高过。

沐阳相信，如果是技术成熟的电子束光刻机，线宽比0.7n小。

他在系统商店普通货架上默念搜索「电子束光刻机」，很快，搜索出几款相关技术。

沐阳选择适合自己公司的一款技术：EBL01

技术参数：

1．最小线宽：小于1nbr>

2．加速电压：5—500kV

3．电子束直径：小于0.5nbr>

4．套刻精度：1nan＋0.20）

5．拼接精度：1nan＋0.20）

6．加工晶圆尺寸：4—18英寸

7．描电镜分辨率：小于0.2nbr>

主要特点：

1．采用超高亮度和超高稳定性的TFE电子枪；

2．出色的电子束偏转控制技术；

3．采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率可达0.0002n

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